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J-GLOBAL ID：200902178231624142   整理番号：93A0761755

Damage introduction in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor structures during electron cyclotron resonance plasma processing.

著者 (7件)： REN F (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  FULLOWAN T R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  PEARTON S J (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  LOTHIAN J R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  ESAGUI R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  ABERNATHY C R (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  HOBSON W S (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 11  号： 4 Pt 2  ページ： 1768-1771  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  AlGaAs ,  InGaAs ,  InP