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J-GLOBAL ID：200902178613535786   整理番号：98A0662109

SIデバイスの研究開発成果を追う [第3回] 3. 静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法

Investigation of the research and development results of SI devices.[ 3 ]. 3. Characteristic improvement technique for electrostatically-inductive rectifier diodes.

著者 (5件)： 矢野浩司 (山梨大 工) ,  逸見勲 (山梨大 工) ,  小原英靖 (山梨大 工) ,  春日正伸 (山梨大 工) ,  清水東 (山梨大 工)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 37  号： 7  ページ： 86-91  発行年： 1998年07月 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 静電誘導型整流ダイオードの性能改善を図るために,低電圧用とし...

シソーラス用語： *ダイオード ,...
準シソーラス用語： 横型ダイオード ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  研究 ,  開発 ,  成果 ,  静電誘導 ,  整流ダイオード ,  特性改善 ,  手法