研究者
J-GLOBAL ID:200901046963169840   更新日: 2021年11月02日

矢野 浩司

ヤノ コウジ | Koji Yano
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (11件):
  • 2020 - 2022 光駆動SiCパワースイッチ
  • 2017 - 2020 3次元スタック実装SiCカスコードパワーデバイス
  • 2017 - 2020 全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発
  • 2016 - 2019 戦略的基盤技術高度化支援事業:高電圧半導体スイッチを使用した電子線滅菌用高電圧パルス電源の開発
  • 2015 - 2018 超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
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論文 (50件):
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MISC (1件):
講演・口頭発表等 (11件):
  • 酸素中熱処理によるNiO/β-Ga2O3ダイオードの高耐圧化
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • NiO/β-Ga2O3ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性
    (第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021)
  • 低オン抵抗・高電流増幅率シリコンスーパージャンクションBJTの動作実証
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • SiC-遮蔽グリッドVJFETのシミュレーション
    (令和3年電気学会全国大会 2021)
  • 高耐圧SIThyのターンオン特性の解析
    (第27回電気学会静岡東部・山梨支所研究発表会 2020)
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学歴 (2件):
  • - 1988 静岡大学
  • - 1988 静岡大学
学位 (2件):
  • 工学修士 (静岡大学)
  • 博士(工学) (静岡大学)
受賞 (1件):
  • 2020/06/04 - 一般社団法人電気学会 電気学会第23回優秀技術活動賞、技術報告賞 技術報告書「シリコンパワーデバイス・ パワーICのさらなる進化および新材料パワーデバイスの進展」
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