研究者
J-GLOBAL ID:200901046963169840   更新日: 2020年09月24日

矢野 浩司

ヤノ コウジ | Koji Yano
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2017 - 2020 3次元スタック実装SiCカスコードパワーデバイス
  • 2017 - 2020 全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発
  • 2016 - 2019 戦略的基盤技術高度化支援事業:高電圧半導体スイッチを使用した電子線滅菌用高電圧パルス電源の開発
  • 2015 - 2018 超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
  • 2012 - 2015 超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード
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論文 (47件):
  • F. Yukawa, T. Takaku, K. Yano. Effect of Negative Gate Voltage on the Turn-off Performance of Is-IGBT Device. IEEJ Journal of Industry Applications. 2020. 9. 5. 557-562
  • K.Yano, M. Hashimoto, N. Matsukawa, A. Matsuo, A. Mouraguchi, M. Arai, N. Shimizu. First demonstration of Si superjunction BJT with ultra-high current gain and low on-resistance. 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. 2020. 451-454
  • Takashi Matsumoto, Yasunori Tanaka, Koji Yano. Stress Test of Cascode Switch Using SiC Static Induction Transistor. Materials Science Forum. 2020. 1004. 985--991
  • Koji Yano, Yasunori Tanaka, Masayuki Yamamoto, Member, IEEE. Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2018. Vol.39. No.9. 1892-1895
  • Fumio Yukawa, Taku Takaku, Naoto Fujisawa, Seiki Igarashi, Koji Yano. Influence of negative voltage between gate and emitter to the turnoff behavior of IGBT device. PCIM ASIA. 2018. 1-6
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MISC (1件):
  • 矢野 浩司. 静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法. 電子材料. 1998. 37. 7. 86-91
講演・口頭発表等 (6件):
  • パワー半導体 抵抗を低減 山梨大など開発 発熱抑え省エネ
    (新聞報道 2020)
  • 新日本無線、機器を小型化・低損失化 シリコンSJ-BJT開発
    (新聞報道 2020)
  • Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor
    (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019)
  • 高電圧大電流静電誘導型サイリスタの開発
    (第16回日本加速器学会年会 2019)
  • パワーデバイスの積層実装の熱解析
    (第25回電気学会東京支部静岡東部・山梨支所研究発表会 2018)
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学歴 (2件):
  • - 1988 静岡大学
  • - 1988 静岡大学
学位 (2件):
  • 工学修士 (静岡大学)
  • 博士(工学) (静岡大学)
受賞 (1件):
  • 2020/06/04 - 一般社団法人電気学会 電気学会第23回優秀技術活動賞、技術報告賞 技術報告書「シリコンパワーデバイス・ パワーICのさらなる進化および新材料パワーデバイスの進展」
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