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J-GLOBAL ID：200902178708883285   整理番号：00A0882293

高誘電率/強誘電体ゲート絶縁膜の可能性

Prospects of high-dielectric and ferroelectric gate insulators.

著者 (1件)： 石原宏 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 69  号： 9  ページ： 1090-1094  発行年： 2000年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本報告では,高誘電率材料ならびに強誘電体から成るゲート絶縁膜...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (13件)：

• 1) K. Aizawa and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5178 (1994).
• 2) M. Ono, M. Saito, T. Yoshitomi, C. Fiegna, T. Ohguro and H. Iwai: Int. Electron Devices Meet. Dig. Tech. Paper, p. 119 (1993).
• 3) The Int. Technology Roadmap for Semiconductors 1999, ed. Int. SEMATECH.
• 4) 岩井洋,大見俊一郎:応用物理 69, 4 (2000).
• 5) J-P. Maria and A. Kingon: J. Mater. Res. 印刷中.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高誘電率 ,  強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  可能性