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J-GLOBAL ID:200902178912540524   整理番号:01A0945275

不揮発性メモリ応用用SrRuO3電極を持つエピタキシャル強誘電体PbZrxTi1-xO3薄膜キャパシタの成長と特性化

Growth and characterization of epitaxial ferroelectric PbZrxTi1-xO3 thin film capacitors with SrRuO3 electrodes for non-volatile memory applications.
著者 (6件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 1433-1440  発行年: 2001年08月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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強誘電体Al/PbZr<sub>x</sub>Ti<sub>...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料  ,  酸化物薄膜 

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