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J-GLOBAL ID：200902178912540524   整理番号：01A0945275

不揮発性メモリ応用用SrRuO₃電極を持つエピタキシャル強誘電体PbZr_xTi_1-xO₃薄膜キャパシタの成長と特性化

Growth and characterization of epitaxial ferroelectric PbZr_xTi_1-xO₃ thin film capacitors with SrRuO₃ electrodes for non-volatile memory applications.

著者 (6件)： GUERRERO C (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  ROLDAN J (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  FERRATER C (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  GARCIA-CUENCA M V (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  SANCHEZ F (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  VARELA M (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 45  号： 8  ページ： 1433-1440  発行年： 2001年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体Al/PbZr_xTi<sub>...

シソーラス用語： 強誘電体 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  エピタキシャル ,  強誘電体 ,  薄膜キャパシタ ,  成長 ,  特性化