SiおよびSiGeデバイスの階層的2-D DD(ドリフト-拡散)およびHD(流体力学)雑音シミュレーション  第二部:結果

JUNGEMANN C; NEINHUES B; DECKER S; MEINERZHAGEN B

文献

J-GLOBAL ID：200902179101001050 整理番号：02A0633435

SiおよびSiGeデバイスの階層的2-D DD(ドリフト-拡散)およびHD(流体力学)雑音シミュレーション第二部:結果

Hierarchical 2-D DD and HD Noise Simulations of Si and SiGe Devices. Part II: Results.

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巻： 49 号： 7 ページ： 1258-1264 発行年： 2002年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)をRF装置...

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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SiおよびSiGeデバイスの階層的2-D DD(ドリフト-拡散)およびHD(流体力学)雑音シミュレーション 第二部:結果

SiおよびSiGeデバイスの階層的2-D DD(ドリフト-拡散)およびHD(流体力学)雑音シミュレーション第二部:結果