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J-GLOBAL ID：200902179397265287   整理番号：98A0847917

低圧の有機金属気相エピタクシーにおけるGaNの成長モードに及ぼす窒化したサファイア表面のSi/N処理の影響

The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy.

著者 (7件)： HAFFOUZ S (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  LAHRECHE H (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  VENNEGUES P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  DE MIERRY P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  BEAUMONT B (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  OMNES F (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  GIBART P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 9  ページ： 1278-1280  発行年： 1998年08月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温のGaN核形成層の堆積後の高温での標記処理が標記成長モー...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧 ,  有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  成長モード ,  窒化 ,  サファイア ,  Si