MgをドープしたGaN  バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>上に成長させた層中の同じ欠陥

LILIENTAL-WEBER Z; BENAMARA M; SWIDER W; WASHBURN J; GRZEGORY I; POROWSKI S; LAMBERT D J H; EITING C J; DUPUIS R D

文献

J-GLOBAL ID：200902179567013407 整理番号：00A0157641

MgをドープしたGaN バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl₂O₃上に成長させた層中の同じ欠陥

Mg-doped GaN: Similar defects in bulk crystals and layers grown on Al₂O₃ by metal-organic chemical-vapor deposition.

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 75 号： 26 ページ： 4159-4161 発行年： 1999年12月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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MgをドープしたGaN バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl2O3上に成長させた層中の同じ欠陥

MgをドープしたGaN バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl₂O₃上に成長させた層中の同じ欠陥