文献

J-GLOBAL ID：200902179701826860   整理番号：96A0780332

非晶質シリコンのパルス急速熱処理による多結晶シリコンの形成

Polycrystalline silicon formation by pulsed rapid thermal annealing of amorphous silicon.

著者 (2件)： KUO Y (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  KOZLOWSKI P M (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 8  ページ： 1092-1094  発行年： 1996年08月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコンから多結晶シリコン(ポリシリコン)を数秒で形成...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0780332&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質シリコン ,  パルス ,  急速熱処理 ,  多結晶シリコン