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J-GLOBAL ID：200902179944204166   整理番号：96A0774095

歪および無歪Si金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタにおける二次元電子のフォノン支配移動度の比較

Comparative study of phonon-limited mobility of two-dimensional electrons in strained and unstrained Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

著者 (4件)： TAKAGI S (Stanford Univ., California) ,  HOYT J L (Stanford Univ., California) ,  WELSER J J (Stanford Univ., California) ,  GIBBONS J F (Stanford Univ., California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 80  号： 3  ページ： 1567-1577  発行年： 1996年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe基板上に製作した歪SiMOSFETのフォノン支配移動...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  Si ,  酸化膜 ,  電界効果トランジスタ ,  電子 ,  フォノン ,  支配 ,  移動度