文献

J-GLOBAL ID：200902179996147330   整理番号：98A0198256

平坦でない基板上の6H-および4H-SiCのホモエピタクシー

Homoepitaxy of 6H and 4H SiC on nonplanar substrates.

著者 (3件)： NORDELL N (Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE) ,  KARLSSON S (Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE) ,  KONSTANTINOV A O (ABB Corporate Res., Kista, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 2  ページ： 197-199  発行年： 1998年01月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性イオンエッチングによって作った線状メサおよび溝があるS...

シソーラス用語： 基板 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0198256&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 4H-SiC ,  ホモエピタクシー