MOCVDにより成長したアンドープGaNエピタクシー薄膜におよぼす希釈アンモニア流速の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902180030822803 整理番号：01A0645280

Effect of diluted ammonia flow rate on undoped GaN epitaxial films grown by MOCVD.

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巻： 225 号： 2/4 ページ： 145-149 発行年： 2001年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

サファイア基板上のGaNエピ層の電気的および光学的特性が水素...

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半導体薄膜

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