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J-GLOBAL ID：200902180100488612   整理番号：01A0105245

強誘電体メモリ用薄膜材料の解析

著者 (5件)： 逢坂哲弥 (早稲田大) ,  小岩一郎 (早稲田大) ,  吉江智寿 (早稲田大) ,  村上義弘 (東北大 金材研) ,  浅見勝彦 (東北大 金材研)
資料名： 新素材設計開発施設共同利用研究報告書
巻： 1999  ページ： 80-81  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： L3700A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 新しい不揮発メモリ用材料して注目されている標記Sr<sub>...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電体メモリ ,  薄膜材料 ,  解析