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J-GLOBAL ID：200902180248407506   整理番号：02A0755438

半導体A(シリコン) 0.1μm時代の高品質SOIウエハー技術

Semiconductor A. (Silicon). High-quality SOI wafer technology for the 0.1μm era.

著者 (8件)： 米原隆夫 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  近江和明 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  中山潤 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  坂口清文 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  佐藤信彦 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  山方憲二 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  柳田一隆 (キヤノン ELTRAN事業推進セ) ,  柿崎恵男 (キヤノン ELTRAN事業推進セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 71  号： 9  ページ： 1102-1112  発行年： 2002年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 21世紀を迎え,シリコンデバイスはいよいよ0.1μmの世代へ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (50件)：

• 大見忠弘. SOIの科学. 2000
• PLOSSL, A. Solid-State Electron. 2000, 44, 755
• IYER, S. S. Silicon Wafer Bonding Technology for VLSI and MEMS Applications. 2002, xix
• BERNSTEIN, K. SOI Circuit Design Concept. 2000
• GEISSLER, S. Proc. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. 2002, 148

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  高品質 ,  SOI ,  ウエハー