RFプラズマ増強CVDによるメチル-トリクロロ-シランからの炭化けい素の薄膜成長

文献

J-GLOBAL ID：200902180314841638 整理番号：97A0770185

Thin film growth of silicon carbide from methyl-trichloro-silane by RF plasma-enhanced CVD.

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巻： 174 号： 1/4 ページ： 658-661 発行年： 1997年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標記炭化けい素薄膜の成長を,約1Torrの水素をキャリアガス...

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半導体薄膜

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