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J-GLOBAL ID：200902180333828839   整理番号：00A0742424

TiNiSn_1-xSb_xハーフホイスラー系におけるSbドーピングの熱電特性

Thermoelectric properties of Sb-doping in the TiNiSn_1-xSb_x half-heusler system.

著者 (7件)： BHATTACHARYA S (Clemson Univ., SC, USA) ,  PONNAMBALAM V (Univ. Virginia, VA, USA) ,  POPE A L (Clemson Univ., SC, USA) ,  ALBONI P N (Clemson Univ., SC, USA) ,  XIA Y (Univ. Virginia, VA, USA) ,  TRITT T M (Clemson Univ., SC, USA) ,  POON S J (Univ. Virginia, VA, USA)
資料名： International Conference on Thermoelectrics  (International Conference on Thermoelectrics)
巻： 18th  ページ： 336-339  発行年： 1999年 
JST資料番号： W1211A  ISSN： 1094-2734  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホイスラー ,  Sb ,  ドーピング ,  熱電特性