文献

J-GLOBAL ID：200902180518503162   整理番号：96A0977686

従来C面サファイア基板上のへき開ファセットを持つ窒化膜ベースマルチ量子井戸レーザダイオードの室温パルス動作

Room Temperature Pulsed Operation of Nitride Based Multi-Quantum-Well Laser Diodes with Cleaved Facets on Conventional C-Face Sapphire Substrate.

著者 (9件)： ITAYA K (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  ONOMURA M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  NISHIO J (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SUGIURA L (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SAITO S (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SUZUKI M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMOTO M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  FUJIMOTO H (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 10B  ページ： L1315-L1317  発行年： 1996年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C面サファイア基板上のへき開鏡面ファセットを持つマルチGaN...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (14件)：

• HATAKOSHI, G. IEEE J.Quantum Electron. 1991, QE, 27, 1476
• ITAYA, K. J.Cryst.Growth. 1994, 138, 768
• HASSE, M. A. Appl.Phys.Lett. 1991, 59, 1272
• ITOH, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, 938
• AMANO, H. Appl.Phys.Lett. 1986, 48, 353

タイトルに関連する用語 (9件)： サファイア基板 ,  へき開 ,  ファセット ,  窒化膜 ,  マルチ ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  室温 ,  パルス