Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer

文献

J-GLOBAL ID：201902007038221063 整理番号：19S2823546

著者 (4件)：

Amano, H.

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(Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University)

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Sawaki, N.

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(Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University)

Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University について

Akasaki, I.

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(Department of Electronics, School of Engineering, Nagoya University)

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Toyoda, Y.

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(Kawasaki Laboratory, Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.)

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資料名：

Applied Physics Letters

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巻： 48 号： 5 ページ： 353-355 発行年： 1986年
JST資料番号： SCOPUS ISSN： 0003-6951
言語：英語 (EN)

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GaN

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AlN

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