高速電子照射によるCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>ヘテロ接合太陽電池の欠陥アニーリング

JASENEK A; SCHOCK H W; WERNER J H; RAU U

文献

J-GLOBAL ID：200902180749115670 整理番号：01A1046376

高速電子照射によるCu(In,Ga)Se₂ヘテロ接合太陽電池の欠陥アニーリング

Defect annealing in Cu(In,Ga)Se₂ heterojunction solar cells after high-energy electron irradiation.

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巻： 79 号： 18 ページ： 2922-2924 発行年： 2001年10月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Cu(In,Ga)Se₂/CdS/Zn...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 太陽電池

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高速電子照射によるCu(In,Ga)Se2ヘテロ接合太陽電池の欠陥アニーリング

高速電子照射によるCu(In,Ga)Se₂ヘテロ接合太陽電池の欠陥アニーリング