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J-GLOBAL ID：200902180883350502   整理番号：99A0297071

準単結晶シリコン薄膜素子用の新しいエキシマレーザアニーリングプロセス

Advanced excimer-laser annealing process for quasi single-crystal silicon thin-film devices.

著者 (2件)： MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OH C-H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 337  号： 1/2  ページ： 123-128  発行年： 1999年01月11日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si薄膜での大きな結晶粒成長を行うための位相変調エキシマレー...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶シリコン ,  薄膜素子