Si基板上に成長させた自己組織化Ge量子ドットにおける中赤外吸収

文献

J-GLOBAL ID：200902180933426874 整理番号：99A0601853

Mid-infrared absorption in self-assembled Ge quantum dots grown on Si substrate.

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資料名：
巻： 3630 ページ： 98-103 発行年： 1999年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(001)配向シリコン基板上に成長させたBドープおよび変調B...

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量子光学一般 , 光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過

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