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J-GLOBAL ID:200902180933426874   整理番号:99A0601853

Si基板上に成長させた自己組織化Ge量子ドットにおける中赤外吸収

Mid-infrared absorption in self-assembled Ge quantum dots grown on Si substrate.
著者 (5件):
資料名:
巻: 3630  ページ: 98-103  発行年: 1999年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(001)配向シリコン基板上に成長させたBドープおよび変調B...
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分類 (2件):
分類
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量子光学一般  ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過 
タイトルに関連する用語 (5件):
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