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J-GLOBAL ID：200902180999264816   整理番号：97A0095681

Plasma immersion ion implantation-a fledgling technique for semiconductor processing.

著者 (5件)：
CHU P K

CHU P K について

(City Univ. Hong Kong, HKG)

City Univ. Hong Kong, HKG について

, 
QIN S

QIN S について

(Northeastern Univ., MA, USA)

Northeastern Univ., MA, USA について

, 
CHAN C

CHAN C について

(Northeastern Univ., MA, USA)

Northeastern Univ., MA, USA について

, 
CHEUNG N W

CHEUNG N W について

(Univ. California, CA, USA)

Univ. California, CA, USA について

, 
LARSON L A

LARSON L A について

(Sematech, TX, USA)

Sematech, TX, USA について


資料名：
Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)

Materials Science & Engineering. R. Reports について


巻： 17  号： 6/7  ページ： XIII-XIV,207-280  発行年： 1996年11月30日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

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