文献

J-GLOBAL ID：200902181021889993   整理番号：00A0882295

〈100〉方向のチャネルをもつ高性能微細MOSFET

Effect of <100> channel direction for high-performance short-channel-effect immune MOSFET.

著者 (2件)： 佐山弘和 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  井上靖朗 (三菱電機 ULSI技開セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 69  号： 9  ページ： 1099-1102  発行年： 2000年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高速論理デバイスでは,比例縮小されない因子の影響が強くなって...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• SINGH, J. Physics of Semiconductors and Their Hetero Structures. 1993, 163
• TAGAWA, Y. Ext.Abstr.1998 6th Int.Workshop Computational Electronics. 1998, 206
• OTTAVIANI, G. Phys.Rev. 1975, B 12, 3318
• YAMAGUCHI, K. Proc.IEEE Int.Conf.Microelectronic Test Structures. 1998, 123
• HILL, C. Semiconductor Silicon. 1981, 988

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル ,  高性能 ,  微細 ,  MOSFET