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J-GLOBAL ID：200902181081019718   整理番号：96A0895752

(311)B-GaAs上に成長させたInAs/InGaAs自己形成量子ドットの構造的及び光学的特性

Structural and optical characterization of InAs/InGaAs self-assembled quantum dots grown on (311)B GaAs.

著者 (6件)： NISHI K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MIRIN R (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  LEONARD D (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  MEDEIROS-RIBEIRO G (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  PETROFF P M (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  GOSSARD A C (Univ. California at Santa Barbara, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 80  号： 6  ページ： 3466-3470  発行年： 1996年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Stranski-Krastanow成長モードを用いてMBE...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  成長 ,  InAs ,  InGaAs ,  自己形成 ,  量子ドット ,  光学的特性