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J-GLOBAL ID：200902181297935077   整理番号：98A0198314

Si(001)面の初期の層毎の酸化の速度論

Kinetics of Initial Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces.

著者 (7件)： WATANABE H (Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN) ,  KATO K (Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN) ,  UDA T (Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN) ,  FUJITA K (Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN) ,  ICHIKAWA M (Joint Res. Center for Atom Technol., Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP), Ibaraki, JPN) ,  KAWAMURA T (Yamanashi Univ., Yamanashi, JPN) ,  TERAKURA K (Joint Res. Center for Atom Technol., National Inst. Advanced Interdisciplinary Res.(JRCAT-NAIR), Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 80  号： 2  ページ： 345-348  発行年： 1998年01月12日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査反射電子顕微法,Auger電子分光およびX線光電子分光を...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 反射電子顕微鏡

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  初期 ,  層 ,  酸化 ,  速度論