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J-GLOBAL ID：200902181448506513   整理番号：03A0083997

GaNを含まない構造の高出力365nm紫外発光ダイオード

High Output Power 365nm Ultraviolet Light Emitting Diode of GaN-Free Structure.

著者 (6件)： MORITA D (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SANO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YAMAMOTO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MURAYAMA T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NAGAHAMA S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 12B  ページ： L1434-L1436  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力の紫外発光ダイオード(LED)を作製した。紫外LEDの...

シソーラス用語： *窒化物 ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (17件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senou: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: J. Appl. Phys. 76 (1994) 8189.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 4) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
• 5) T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1358.

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  高出力 ,  紫外発光ダイオード