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J-GLOBAL ID：200902182047226000   整理番号：00A0286141

走査型キャパシタンス分光法によるSi系素子のPN接合の描出

pn-junction delineation in Si devices using scanning capacitance spectroscopy.

著者 (9件)： EDWARDS H (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  UKRAINTSEV V A (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  MARTIN R S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  JOHNSON F S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  MENZ P (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  WALSH S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  ASHBURN S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  WILLS K S (Texas Instruments, Inc., Texas) ,  CHANG M-C (Texas Instruments, Inc., Texas)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 3  ページ： 1485-1495  発行年： 2000年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型キャパシタンス顕微鏡法(SCM)はよく知られた走査型プ...

シソーラス用語： 走査型プローブ顕微鏡 ,...
準シソーラス用語： 走査型キャパシタンス分光法

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分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型 ,  キャパシタンス ,  分光法 ,  Si ,  PN接合 ,  描出