文献

J-GLOBAL ID：200902182661709513   整理番号：99A0326872

GaNの強い光ルミネセンスを達成するためのアプローチ

An Approach to Achieve Intense Photoluminescence of GaN.

著者 (2件)： SHEN X-Q (Inst. Physical and Chemical Res.(RIKEN), Saitama, JPN) ,  AOYAGI Y (Inst. Physical and Chemical Res.(RIKEN), Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 1A/B  ページ： L14-L16  発行年： 1999年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガスソース分子ビームエピタクシーによってAl<sub>2<...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (14件)：

• 1) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. & Technol. B 10 (1992) 1237 and references therein.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417 and the references therein.
• 3) S. Nakamura: Microelectron. J. 25 (1994) 651.
• 4) R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas and L. T. Romano: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1089.
• 5) F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Gotz and P. J. Wright: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 57.

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  光ルミネセンス