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J-GLOBAL ID：200902188068583099   整理番号：97A0328770

全アロイ組成におけるInGaN厚膜の相分離とInGaN/GaN二重ヘテロ構造の形成

Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/GaN double heterostructures in the entire alloy composition.

著者 (4件)： SINGH R (Boston Univ., Massachusetts) ,  DOPPALAPUDI D (Boston Univ., Massachusetts) ,  MOUSTAKAS T D (Boston Univ., Massachusetts) ,  ROMANO L T (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 9  ページ： 1089-1091  発行年： 1997年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最適な基板温度700-800°Cで,分子線エピタクシーによりI...

シソーラス用語： 窒化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： アロイ組成 ,  InGaN ,  厚膜 ,  相分離 ,  GaN ,  ヘテロ構造