有機金属化学蒸着で成長させたGaN中の核形成層の発展

WU X H; KAPOLNEK D; TARSA E J; HEYING B; KELLER S; KELLER B P; MISHRA U K; DENBAARS S P; SPECK J S

文献

J-GLOBAL ID：200902182692208148 整理番号：96A0278724

有機金属化学蒸着で成長させたGaN中の核形成層の発展

Nucleation layer evolution in metal-organic chemical vapor deposition grown GaN.

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巻： 68 号： 10 ページ： 1371-1373 発行年： 1996年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子間力顕微鏡観察,反射高速電子回折および透過型電子顕微鏡観...

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半導体薄膜

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