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J-GLOBAL ID：200902182866126111   整理番号：96A0711869

窒素源としてアンモニアを用いたガスソース分子線エピタクシーで成長させた高質のGaNとAlN

High-quality GaN and AIN grown by gas-source molecular beam epitaxy using ammonia as the nitrogen source.

著者 (3件)： YANG Z (Columbia Univ., New York) ,  LI L K (Columbia Univ., New York) ,  WANG W I (Columbia Univ., New York)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14  号： 3  ページ： 2354-2356  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBEによるGaNの成長に対して報告されているより一桁大きな...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素源 ,  アンモニア ,  ガスソース分子線エピタクシー ,  成長 ,  高質 ,  GaN ,  AlN