ひずみを加えたInGaAs/InAlAs多重量子井戸電子吸収変調器の特性

IDO T; SANO H; TANAKA S; MOSS D J; INOUE H

文献

J-GLOBAL ID：200902183083061129 整理番号：97A0012660

ひずみを加えたInGaAs/InAlAs多重量子井戸電子吸収変調器の特性

Performance of Strained InGaAs/InAlAs Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0012660&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0012660&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0922A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 14 号： 10 ページ： 2324-2331 発行年： 1996年10月
JST資料番号： H0922A ISSN： 0733-8724 CODEN： JLTEDG 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InGaAs井戸にひずみを加えると井戸が拡がって駆動電圧が減...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0012660&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0922A") }}

光変調器

, , , , ,

前のページに戻る