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J-GLOBAL ID:200902183083061129   整理番号:97A0012660

ひずみを加えたInGaAs/InAlAs多重量子井戸電子吸収変調器の特性

Performance of Strained InGaAs/InAlAs Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators.
著者 (5件):
資料名:
巻: 14  号: 10  ページ: 2324-2331  発行年: 1996年10月 
JST資料番号: H0922A  ISSN: 0733-8724  CODEN: JLTEDG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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InGaAs井戸にひずみを加えると井戸が拡がって駆動電圧が減...
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分類 (1件):
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光変調器 

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