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J-GLOBAL ID：200902183104238849   整理番号：99A0420084

五酸化タンタルゲート絶縁体を用いたCMOSメタル置換ゲートトランジスタ

CMOS Metal Replacement Gate Transistors using Tantalum Pentoxide Gate Insulator.

著者 (9件)： CHATTERJEE A (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  CHAPMAN R A (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  OTOBE M (Texas Instruments, JPN) ,  FANG S J (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  AUR S-W (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  TSAI H-L (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  JONES P (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX) ,  AOKI M (Texas Instruments, JPN) ,  CHEN I-C (MS 3702 Texas Instruments, Dallas, TX)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998  ページ： 777-780  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い遠隔プラズマ窒化ゲート酸化膜上に五酸化タンタルの高誘電定...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： ゲート絶縁体 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 五酸化タンタル ,  ゲート絶縁体 ,  CMOS ,  メタル ,  置換 ,  ゲート ,  トランジスタ