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J-GLOBAL ID：200902183213319395   整理番号：99A0942594

PLDでSi(100)上に成長させたTiO₂薄膜に対するターゲット密度とその形態の効果

The effect of target density and its morphology on TiO₂ thin films grown on Si(100) by PLD.

著者 (3件)： KIM J-H (Kwang-Ju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  LEE S (Kwang-Ju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  IM H-S (Korea Res. Inst. Standards and Sci., Taejon, KOR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 151  号： 1/2  ページ： 6-16  発行年： 1999年09月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着(PLD)で単結晶Si(100)基板にTiO...

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： PLD ,  Si ,  成長 ,  TiO2 ,  薄膜 ,  ターゲット ,  密度 ,  形態