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J-GLOBAL ID：200902183285756870   整理番号：99A0616552

放電加工による単結晶シリコンインゴットの高能率精密中ぐり

High efficiency fine boring of monocrystalline silicon ingot by electrical discharge machining.

著者 (6件)： UNO Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  OKADA A (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  OKAMOTO Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  YAMAZAKI K (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  RISBUD S H (Univ. California at Davis, CA, USA) ,  YAMADA Y (KASEN USA Corp., NC, USA)
資料名： Precision Engineering  (Precision Engineering)
巻： 23  号： 2  ページ： 126-133  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： A0734B  ISSN： 0141-6359  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶シリコンインゴットの高能率,高精度の放電加工法(EDM...

シソーラス用語： *放電加工 ,...

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分類 (2件)： 特殊加工  (QC04000Y) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放電加工 ,  単結晶シリコン ,  インゴット ,  高能率 ,  中ぐり