分子ビーム・エピタキシーによるGaAs(100)上のc-GaNの初期成長機構に関する調査

文献

J-GLOBAL ID：200902183418599846 整理番号：98A0793885

A study of initial growth mechanism of c-GaN on GaAs(100) by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 189/190 ページ： 406-410 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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