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J-GLOBAL ID：200902183431073934   整理番号：02A0465902

オゾン(O₃)処理により高抵抗化され水素終端チャネルでのFET特性

著者 (7件)： SONG K S (早稲田大 理工) ,  堺俊克 (早稲田大 理工) ,  金沢啓史 (早稲田大 理工) ,  荒木裕太 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 556  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： オゾン ,  O3 ,  水素終端 ,  チャネル ,  FET