SrBi2Ta2O9膜の低温形成とAl/SrBi2Ta2O9/CeO2/Si(100)構造による金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタの作製

HIRAI T; FUJISAKI Y; NAGASHIMA K; KOIKE H; TARUI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902183565631747 整理番号：97A1019202

SrBi₂Ta₂O₉膜の低温形成とAl/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100)構造による金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタの作製

Preparation of SrBi₂Ta₂O₉ Film at Low Temperatures and Fabrication of a Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field Effect Transistor Using Al/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100) Structures.

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資料名：
巻： 36 号： 9B ページ： 5908-5911 発行年： 1997年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記強誘電体(SBT)薄膜の低温形成法を示し,標記nチャンネ...

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酸化物薄膜 , 強誘電体,反強誘電体,強弾性 , トランジスタ

引用文献 (12件)：

MOLL, J. L. IEEE Trans.Electron Devices. 1963, ED-10, 338
WU, S. Y. Ferroelectrics. 1976, 11, 379
MATSUI, Y. Appl.Phys.A. 1982, 28, 161
LAMPE, D. R. Ferroelectrics. 1992, 133, 61
HIRAI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, 5219

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