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J-GLOBAL ID：200902183624091930   整理番号：99A0221263

埋め込みバンプ配線技術による新しい高密度基板(B²it) 電気的および熱的性能の設計特徴と実際の応用

New High Density Substrates with Buried Bump Interconnection Technology(B²it). Design Features of Electrical and Thermal Performance with the Actual Applications.

著者 (3件)： FUKUOKA Y (Toshiba Corp., Tokyo, JPN) ,  OGUMA T (Toshiba Corp., Tokyo, JPN) ,  TAHARA Y
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 3582  ページ： 405-412  発行年： 1998年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋め込み ,  バンプ ,  高密度 ,  熱的性能 ,  設計 ,  応用