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J-GLOBAL ID：200902183664832592   整理番号：98A0695930

触媒化学蒸着(Cat-CVD)法によって作製したシリコン系薄膜の形成

Formation of Silicon-Based Thin Films Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) Method.
著者 (1件)：
MATSUMURA H

MATSUMURA H について

(JAIST (Japan Advanced Indt. Sci. Technol.), Ishikawa, JPN)

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資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 37  号： 6A  ページ： 3175-3187  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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低温成長の可能なCat-CVD法について概観し,この方法によ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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タイトルに関連する用語
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触媒化学蒸着

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Cat-CVD

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法

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作製

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シリコン

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薄膜

薄膜 について


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