四臭化炭素を用いた固体ソース分子線エピタクシーにおけるGaAsと(In,Ga)Asの炭素ドーピング

ZHANG K; HWANG W-Y; MILLER D L; KAPITAN L W

文献

J-GLOBAL ID：200902184169052021 整理番号：93A0975617

四臭化炭素を用いた固体ソース分子線エピタクシーにおけるGaAsと(In,Ga)Asの炭素ドーピング

Carbon doping of GaAs and (In,Ga)As in solid source molecular beam epitaxy using carbon tetrabromide.

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巻： 63 号： 17 ページ： 2399-2401 発行年： 1993年10月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

CBr₄を用いてCをドープしたGaAs...

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半導体の格子欠陥 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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