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J-GLOBAL ID：200902184337771497   整理番号：02A0306923

ZrO₂金属-絶縁体-半導体構造におけるZrシリケート界面層

Study on Zr-silicate interfacial layer of ZrO₂ metal-insulator-semiconductor structure.

著者 (4件)： YAMAGUCHI T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATAKE H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  FUKUSHIMA N (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 11  ページ： 1987-1989  発行年： 2002年03月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)基板上にパルスレーザアブレーションによりZrO...

シソーラス用語： *MIS構造 ,...
準シソーラス用語： 等価酸化物厚み

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZrO2 ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  Zr ,  シリケート ,  界面層