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J-GLOBAL ID：200902184418039537   整理番号：95A0192350

非常に低い電圧動作のためのダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)

A Dynamic Threshold Voltage MOSFET (DTMOS) for Very Low Voltage Operation.

著者 (6件)： ASSADERAGHI F (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  PARKE S (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  SINITSKY D (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  BOKOR J (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  KO P K (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  HU C (Univ. California at Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 15  号： 12  ページ： 510-512  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオンインシュレータ(SOI)MOSFETの新しいモー...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： しきい値電圧 ,  MOSFET