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J-GLOBAL ID：200902184455538306   整理番号：00A0715426

8nmゲートの電気的に可変な浅い接合の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるソース-ドレイン直接トンネリング電流の観測

Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8nm gate electrically variable shallow junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

著者 (3件)： KAWAURA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  BABA T (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 25  ページ： 3810-3812  発行年： 2000年06月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 8nmゲート長を持つ,電気的に可変な浅い接合の金属-酸化物-...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  浅い接合 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ソース ,  ドレイン ,  直接トンネリング ,  観測