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J-GLOBAL ID：200902184567608544   整理番号：03A0067186

UVおよびオゾンプロセスにより形成したnm厚の酸化薄膜を有するGaAs MISFETの作成

Fabrication of GaAs MISFET With nm-Thin Oxidized Layer Formed by UV and Ozone Process.

著者 (7件)： IIYAMA K (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KITA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  OHTA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  NASUNO M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  TAKAMIYA S (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  HIGASHIMINE K (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  OHTSUKA N (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 11  ページ： 1856-1862  発行年： 2002年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体による電界効果トランジスタ(FET)およびHEM...

シソーラス用語： *MISFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： オゾン ,  プロセス ,  厚 ,  酸化 ,  薄膜 ,  GaAs ,  MISFET