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J-GLOBAL ID：200902184587735178   整理番号：98A0551284

極めて均質な(In,Ga)As/GaAs量子ドットからの強い通常入射(Normal-incidence)赤外線に対する吸収及び光電流スペクトル

Strong normal-incidence infrared absorption and photo-current spectra from highly uniform (In,Ga)As/GaAs quantum dot structures.

著者 (3件)： PAN D (Univ. Virginia, VA, USA) ,  TOWE E (Univ. Virginia, VA, USA) ,  KENNERLY S (Army Res. Lab., MD, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 34  号： 10  ページ： 1019-1020  発行年： 1998年05月14日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (In,Ga)As/GaAs量子ドットからの波長範囲12~1...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga ,  GaAs ,  量子ドット ,  赤外線 ,  光電流スペクトル