GaNエピタキシャル成長の基板としてのペロブスカイト型酸化物(RE,Sr)(Al,Ta)O<sub>3</sub>の成長(RE=La,Nd)

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J-GLOBAL ID：200902184768612078 整理番号：02A0267367

GaNエピタキシャル成長の基板としてのペロブスカイト型酸化物(RE,Sr)(Al,Ta)O₃の成長(RE=La,Nd)

Growth of perovskite-type oxides (RE,Sr)(Al,Ta)O₃ as substrates for GaN epitaxial growth (RE=La,Nd).

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巻： 235 号： 1/4 ページ： 277-282 発行年： 2002年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

新しい標記の酸化物結晶(La_0.3Sr...

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酸化物薄膜

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