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J-GLOBAL ID：200902184836725935   整理番号：93A0319854

パワーデバイス用6H-SiC,3C-SiCとSiの比較

Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for Power Devices.

著者 (2件)： BHATNAGAR M (North Carolina State Univ., NC) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., NC)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 3  ページ： 645-655  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 50Vから5000V範囲の破壊電圧を得るために6H-SiCベ...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワーデバイス ,  6H-SiC ,  3C-SiC ,  Si