文献

J-GLOBAL ID：200902184874010788   整理番号：95A0890957

ガスソース分子ビームエピタクシーにより成長させたInP(001)上のInAsの島の自己組織化とサイズとの関係

Relationship between self-organization and size of InAs islands on InP(001) grown by gas-source molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： PONCHET A (Centre d’Elaboration de Mat<span style=text-decoration:overline>e ́</span>riaux et d’Etudes Structurales, CNRS, Toulouse, FRA) ,  LE CORRE A (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  L’HARIDON H (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  LAMBERT B (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA) ,  SALAUEN S (France-T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>com, Lannion, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 13  ページ： 1850-1852  発行年： 1995年09月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪誘起2D-3D遷移が起こる成長条件でInP(001)上にI...

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0890957&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガスソース分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InP ,  InAs ,  島 ,  自己組織化 ,  サイズ