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J-GLOBAL ID：200902184896425809   整理番号：99A0484037

ナノインプリントリソグラフィーを用いて作製したナノスケールGaAs金属-半導体-金属光検出器

Nanoscale GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors fabricated using nanoimprint lithography.

著者 (3件)： YU Z (Princeton Univ., New Jersey) ,  SCHABLITSKY S J (Princeton Univ., New Jersey) ,  CHOU S Y (Princeton Univ., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 16  ページ： 2381-2383  発行年： 1999年04月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のリソグラフィー(NIL)を用いて,種々のナノスケール格...

シソーラス用語： *光検出器 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノインプリントリソグラフィー ,  作製 ,  ナノスケール ,  GaAs ,  光検出器